Intelligent Process Optimization

DNN EdgeAI+ 製程優化解決方案

專為製造產業設計的 Edge AI 邊緣運算解決方案

TRUSTED BY

Edge AI 產品架構

01 軟體
搭載 Qwen 3.5 70B,於地端運行。支援製程指令解析、異常診斷問答與設備維護知識庫查詢,所有推論完全在設備內完成,資料不出廠。
02 硬體
搭載 AMD Ryzen AI Max 系列處理器,內建 Radeon RDNA 3.5 GPU 架構與專用 NPU 加速引擎,NPU 算力最高可達 126 TOPS。原生支援 Windows 11 作業系統,完整相容既有 x86 軟體與周邊生態,方便快速導入產線。
03 應用
適用於雷射 TGV、ALD 薄膜沉積與蝕刻等製程。AI 持續監控感測數據,自動識別製程偏移並即時回饋調整,讓設備具備自主優化能力。

DNN EdgeAI 的優勢特點

DNN EdgeAI+ 整合製程參數與 AOI 檢測數據,透過 AI 演算法與歷史資料進行 Run-to-Run 監控,自主判斷製程偏移並即時預測最佳參數,直接下達校正指令,確保每批良率與品質。

INFERENCE ENGINE
即時推論引擎
ON-PREMISE SERVER
本地訓練確保數據安全
CUSTOM HARDWARE
依客戶選配適當硬體配置
AUTONOMOUS PROCESS
製程自主優化
Service Scope

DNN EdgeAI+ 服務範圍

Hardware Platform

選擇適合您產線的硬體規格

DNN EdgeAI+ 邊緣運算主機
入門級
DNN EdgeAI+ Lite
Ryzen 5 8645HS 系列
AMD

└─ CPU Ryzen 5 8645HS(6C/12T,Zen 4)
└─ GPU Radeon 760M(8 CU,RDNA 3)
└─ NPU 算力 16 TOPS(總 38)
└─ 記憶體 16 GB DDR5-5600 SO-DIMM(8 GB 版另備)
└─ 儲存 512 GB M.2 2280 NVMe
└─ 電源 120W DC adapter

基礎級
DNN EdgeAI+ Base
Ryzen AI 9 HX 370 系列
AMD

└─ CPU Ryzen AI 9 HX 370(12C/24T,Zen 5/5c)
└─ GPU Radeon 890M(16 CU,RDNA 3.5)
└─ NPU 算力 50 TOPS(總 80)
└─ 記憶體 32 GB DDR5-5600 SO-DIMM(可至 64 GB)
└─ 儲存 1 TB M.2 2280 NVMe
└─ 電源 180W DC adapter

標準級
DNN EdgeAI+ Pro
Ryzen AI Max+ 395・Strix Halo
AMD

└─ CPU Ryzen AI Max+ 395(16C/32T)
└─ GPU Radeon 8060S(40 CU)
└─ NPU 算力 50 TOPS(總 126)
└─ 記憶體 64 GB LPDDR5x-8000(板上焊接)
└─ 儲存 1 TB M.2 NVMe × 2
└─ 電源 240W DC adapter

旗艦級
DNN EdgeAI+ Max
Ryzen AI Max+ PRO 395・128GB Strix Halo
AMD

└─ CPU Ryzen AI Max+ PRO 395(16C/32T,Zen 5)
└─ GPU Radeon 8060S(40 CU,RDNA 3.5)
└─ NPU 算力 50 TOPS(總 126)
└─ 記憶體 128 GB LPDDR5x-8000(板上焊接,112 GB 可配 VRAM)
└─ 儲存 2 TB M.2 NVMe + M.2 擴充槽
└─ 電源 240W DC adapter(TDP 120W)

規格項目 DNN EdgeAI+ Lite
入門級 · Ryzen 5 8645HS
DNN EdgeAI+ Base
基礎級 · Ryzen AI 9 HX 370
DNN EdgeAI+ Pro
標準級 · Ryzen AI Max+ 395
DNN EdgeAI+ Max
旗艦級 · Ryzen AI Max+ PRO 395
CPURyzen 5 8645HS(6C/12T,Zen 4)Ryzen AI 9 HX 370(12C/24T,Zen 5/5c)Ryzen AI Max+ 395(16C/32T)Ryzen AI Max+ PRO 395(16C/32T,Zen 5)
GPURadeon 760M(8 CU,RDNA 3)Radeon 890M(16 CU,RDNA 3.5)Radeon 8060S(40 CU)Radeon 8060S(40 CU,RDNA 3.5)
NPU 算力16 TOPS(總 38)NPU50 TOPS(總 80)NPU50 TOPS(總 126)NPU50 TOPS(總 126)NPU
記憶體16 GB DDR5-5600 SO-DIMM(8 GB 版另備)32 GB DDR5-5600 SO-DIMM(可至 64 GB)64 GB LPDDR5x-8000(板上焊接)128 GB LPDDR5x-8000(板上焊接,112 GB 可配 VRAM)
儲存512 GB M.2 2280 NVMe1 TB M.2 2280 NVMe1 TB M.2 NVMe × 22 TB M.2 NVMe + M.2 擴充槽
電源120W DC adapter180W DC adapter240W DC adapter240W DC adapter(TDP 120W)

專屬於產線的 AI 訓練模型

DNN EdgeAI+ 透過生產端製程資料、設備紀錄、SOP 與歷史異常案例,建立專屬於產線的 Edge AI 模型。
它能協助工程師快速找出異常原因、預測最佳參數,並提供可追溯的校正建議。

PART 01 我們如何訓練模型?
工廠資料來源
製程資料 SPC · FDC
Metrology · CD
Thickness · Defect
設備資料 Equipment Log
Alarm Log
Sensor · RF Power
工程文件 SOP · Recipe Spec
Maintenance Manual
Troubleshooting
歷史案例 Defect Report
Abnormal Case
Engineer Notes
生產回饋 工程師處置結果
改善結果
Recipe 更新
Local Server / 產線製程模型
Powered By Superdigital · 集團自有品牌,非外包
01資料接收
02資料清洗
03知識庫建立
04RAG 向量庫
05Fine-Tuning
06版本管理
07工程師驗證
08部署產線
產出專屬客戶製程AI Agent
DNN EdgeAI+
Production Model

從製程資料模型中學習,進行 Fine-Tuning
部署於設備端,從單機到多機最後到產線

訓練完成 · 開始使用
PART 02 問一個問題,AI 即時給出診斷
DNN EdgeAI+ · 製程診斷引擎
01 輸入
→
02 語義理解
→
03 知識檢索
→
04 脈絡整合
→
05 AI 推論
→
06 輸出
D
D
DNN EdgeAI+ 診斷完成
根因分析
建議處方
✦
技術說明
RAG

檢索增強生成

推論時即時從外部知識庫檢索相關文件,注入問題背景作為事實依據,確保每一條診斷結果皆有文件出處,可追溯、可驗證。

Fine-Tuning

領域微調

以半導體專用資料對預訓練模型進行二次訓練,透過 LoRA / QLoRA 低秩適配器技術,讓模型深度理解 SPC、FDC、Metrology 等製程術語與因果邏輯。

雙軌融合

既懂行話,又有最新證據

Fine-Tuning 賦予模型領域深度,RAG 提供即時文件補充。兩者結合達成單一技術無法企及的精準度,產出有依據的製程診斷答案。

Embedding

向量索引基礎架構

文字透過 Embedding Model 映射至高維向量空間,語義相近的內容在空間中距離接近。文件切片策略直接決定知識庫的檢索精度與召回率。

在 DNN EdgeAI+ 上,讓製程自己找到最佳參數

整合感測數據收集、多變數神經網路推論、即時參數回饋,以及視覺化監控介面

④ AI Chat Widget
AnythingLLM | OI
Apps
REST API
RAG
Ollama
vLLM
Llama.cpp
③ AI Model
LlamaGemmaDeepSeekgpt-ossQwen
① Container Station
QuTS hero
② GPU
Acceleration
Case Study · 半導體製程

製程閉環控制 — 即時演示

三種製程場景,見證 EdgeAI+ 如何即時學習並自動收斂製程參數

Edge AI — ALD 製程閉環控制

SEMICONDUCTOR PROCESS CONTROL CYCLE 1 / 2
ALD 製程
DEPOSITION
膜厚量測
MEASUREMENT
EdgeAI+ 分析
WAFER MAP AI
判斷結果
DECISION
調整參數
ADJUST PARAMS
✓ 達標完成
TARGET MET
薄膜沉積
量測站
AI 推論
規格判斷
NG→閉環
OK→確認
Wafer Map — 膜厚分佈
AVG THICK
—
NON-UNIF
—
MAX DEV
—
YIELD EST
—
膜厚 SPC — Thickness (nm)
TARGET
50.0
UCL/LCL
52/48
LATEST
—
偏差 SPC — Deviation |Δ| (nm)
SPEC
±2.0nm
Cpk
—
STATUS
—
READY
系統就緒 — 準備開始 ALD 製程閉環控制模擬
TEMP200°C
CYCLES150
PRES0.50T
FLOW100sccm
Case 02
Laser Via Hole · Advanced Process Control
Semiconductor Packaging
CYCLE 01 / 06
⚡ Laser Parameters
Energy42.0 µJ
Pulse380 fs
Frequency200 kHz
Focus-2.0 µm
🎯 Target
Depth80.0 µm
Diameter30.0 µm
Tolerance±2.0 µm
LASER
AOI
EdgeAI+
✓ LASER VIA CONVERGED
DNN EdgeAI+
STANDBY · Laser Via APC
📐 AOI Measurements
DEPTH
— µm
TARGET: 80.0 ±2.0 µm
Δ —
DIAMETER
— µm
TARGET: 30.0 ±2.0 µm
Δ —
Convergence
CONSECUTIVE OK
0
/ 3 required
LASER PROCESS
AOI METROLOGY
AI INFERENCE
PARAM UPDATE
ITERATION 1
Case 03
Thin Film Deposition · CVD / PECVD Process Control
Semiconductor Thin Film
CYCLE 01 / 06
⚡ Process Parameters
Time225.0 s
RF Power380 W
SiH₄68.0 sccm
N₂O190 sccm
🎯 Target
Thickness500 nm
Tolerance±5 nm
FilmSiO₂
CVD CHAMBER
RF SiH₄ N₂O EXH
METROLOGY
Thk
EdgeAI+
DNN
✓ FILM THICKNESS CONVERGED
DNN EdgeAI+
STANDBY · Multi-Variable CVD
📐 Metrology
FILM THICKNESS
— nm
TARGET: 500 ±5 nm
Δ —
Thickness Trend
500nm
CONSECUTIVE OK
0
/ 3 required
CVD PROCESS
METROLOGY
AI INFERENCE
PARAM UPDATE
ITERATION 1

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