Intelligent Process Optimization

DNN EdgeAI+ 製程優化解決方案

專為半導體產業設計的 Edge AI 邊緣運算解決方案

TRUSTED BY

Edge AI 產品架構

01 軟體
搭載 Qwen 3.5 70B,於地端運行。支援製程指令解析、異常診斷問答與設備維護知識庫查詢,所有推論完全在設備內完成,資料不出廠。
02 硬體
搭載 NVIDIA Jetson 系列模組,內建 Ampere GPU 架構與 Tensor Core 推論加速,邊緣算力涵蓋 20 至 275 TOPS。體積精巧,易於嵌入現有產線,工作溫度覆蓋 -20°C ~ 70°C,適應半導體廠房高溫、震動等嚴苛環境。
03 應用
適用於雷射 TGV、ALD 薄膜沉積與蝕刻等製程。AI 持續監控感測數據,自動識別製程偏移並即時回饋調整,讓設備具備自主優化能力。

DNN EdgeAI 的優勢特點

DNN EdgeAI+ 整合製程參數與 AOI 檢測數據,透過 AI 演算法與歷史資料進行 Run-to-Run 監控,自主判斷製程偏移並即時預測最佳參數,直接下達校正指令,確保每批良率與品質。

INFERENCE ENGINE
即時推論引擎
ON-PREMISE SERVER
本地訓練確保數據安全
CUSTOM HARDWARE
依客戶選配適當硬體配置
AUTONOMOUS PROCESS
製程自主優化
Service Scope

DNN EdgeAI+ 服務範圍

Hardware Platform

選擇適合您產線的硬體規格

DNN EdgeAI+ 邊緣運算主機
入門級
DNN EdgeAI+
(20 / 40 TOPS)
NVIDIA Jetson

20 / 40 TOPS  AI 推論算力
└─ AI 平台 NVIDIA Jetson Orin Nano
└─ AI 算力 20 TOPS  /  40 TOPS (Super 模式)
└─ GPU 512-core NVIDIA Ampere(16 Tensor Cores)
└─ CPU 6-core Arm® Cortex®-A78AE 64-bit
└─ 記憶體 4GB / 8GB  LPDDR5
└─ 接口 USB 3.0 × 2、HDMI、M.2 NVMe
└─ 工作溫度 -20°C ~ 70°C

標準級
DNN EdgeAI+
(70 / 100 TOPS)
NVIDIA Jetson

70 / 100 TOPS  AI 推論算力
└─ AI 平台 NVIDIA Jetson Orin NX
└─ AI 算力 70 TOPS  /  100 TOPS (Super 模式)
└─ GPU 1024-core NVIDIA Ampere(32 Tensor Cores)
└─ CPU 6 / 8-core Arm® Cortex®-A78AE 64-bit
└─ 記憶體 8GB / 16GB  LPDDR5
└─ 接口 USB 3.0 × 2、HDMI、M.2 NVMe
└─ 工作溫度 -20°C ~ 70°C

旗艦級
DNN EdgeAI+
(200 / 275 TOPS)
NVIDIA Jetson

200 / 275 TOPS  AI 推論算力
└─ AI 平台 NVIDIA Jetson AGX Orin
└─ AI 算力 200 TOPS  /  275 TOPS
└─ GPU 1792-core NVIDIA Ampere(56 Tensor Cores)
└─ CPU 8 / 12-core Arm® Cortex®-A78AE 64-bit
└─ 記憶體 32GB / 64GB  LPDDR5
└─ 接口 USB 3.2 Gen2、HDMI、M.2 NVMe
└─ 工作溫度 -20°C ~ 60°C

規格項目 DNN EdgeAI+ (20/40 TOPS)
入門級 · Orin Nano
DNN EdgeAI+ (70/100 TOPS)
標準級 · Orin NX
DNN EdgeAI+ (200/275 TOPS)
旗艦級 · AGX Orin
AI 算力20 / 40 TOPS NPU70 / 100 TOPS NPU200 / 275 TOPS NPU
GPU512-core Ampere(16 TC)1024-core Ampere(32 TC)1792-core Ampere(56 TC)
CPU6-core A78AE 64-bit6 / 8-core A78AE 64-bit8 / 12-core A78AE 64-bit
記憶體4GB / 8GB LPDDR58GB / 16GB LPDDR532GB / 64GB LPDDR5
接口USB 3.0 × 2、HDMI、M.2USB 3.0 × 2、HDMI、M.2USB 3.2 Gen2、HDMI、M.2
工作溫度-20°C ~ 70°C-20°C ~ 70°C-20°C ~ 60°C

專屬於半導體製程的訓練模型

DNN EdgeAI+ 透過生產端製程資料、設備紀錄、SOP 與歷史異常案例,建立專屬於半導體製程的 Edge AI 模型。
它能協助工程師快速找出異常原因、預測最佳參數,並提供可追溯的校正建議。

PART 01 我們如何訓練模型?
工廠資料來源
製程資料 SPC · FDC
Metrology · CD
Thickness · Defect
設備資料 Equipment Log
Alarm Log
Sensor · RF Power
工程文件 SOP · Recipe Spec
Maintenance Manual
Troubleshooting
歷史案例 Defect Report
Abnormal Case
Engineer Notes
生產回饋 工程師處置結果
改善結果
Recipe 更新
Local Server / 半導體製程模型
Powered By Superdigital · 集團自有品牌,非外包
01資料接收
02資料清洗
03知識庫建立
04RAG 向量庫
05Fine-Tuning
06版本管理
07工程師驗證
08部署產線
產出專屬客戶製程AI Agent
DNN EdgeAI+
Production Model

從製程資料模型中學習,進行 Fine-Tuning
部署於設備端,從單機到多機最後到產線

訓練完成 · 開始使用
PART 02 問一個問題,AI 即時給出診斷
DNN EdgeAI+ · 製程診斷引擎
01 輸入
02 語義理解
03 知識檢索
04 脈絡整合
05 AI 推論
06 輸出
D
D
DNN EdgeAI+ 診斷完成
根因分析
建議處方
技術說明
RAG

檢索增強生成

推論時即時從外部知識庫檢索相關文件,注入問題背景作為事實依據,確保每一條診斷結果皆有文件出處,可追溯、可驗證。

Fine-Tuning

領域微調

以半導體專用資料對預訓練模型進行二次訓練,透過 LoRA / QLoRA 低秩適配器技術,讓模型深度理解 SPC、FDC、Metrology 等製程術語與因果邏輯。

雙軌融合

既懂行話,又有最新證據

Fine-Tuning 賦予模型領域深度,RAG 提供即時文件補充。兩者結合達成單一技術無法企及的精準度,產出有依據的製程診斷答案。

Embedding

向量索引基礎架構

文字透過 Embedding Model 映射至高維向量空間,語義相近的內容在空間中距離接近。文件切片策略直接決定知識庫的檢索精度與召回率。

DNN EdgeAI+ 上,讓製程自己找到最佳參數

整合感測數據收集、多變數神經網路推論、即時參數回饋,以及視覺化監控介面

AI Chat Widget
AnythingLLM | OI
Apps
REST API
RAG
Ollama
vLLM
Llama.cpp
AI Model
LlamaGemmaDeepSeekgpt-ossQwen
Container Station
QuTS hero
GPU
Acceleration
Case Study · 半導體製程

製程閉環控制 — 即時演示

三種製程場景,見證 EdgeAI+ 如何即時學習並自動收斂製程參數

Edge AI — ALD 製程閉環控制

SEMICONDUCTOR PROCESS CONTROL CYCLE 1 / 2
ALD 製程
DEPOSITION
膜厚量測
MEASUREMENT
EdgeAI+ 分析
WAFER MAP AI
判斷結果
DECISION
調整參數
ADJUST PARAMS
✓ 達標完成
TARGET MET
薄膜沉積
量測站
AI 推論
規格判斷
NG→閉環
OK→確認
Wafer Map — 膜厚分佈
AVG THICK
NON-UNIF
MAX DEV
YIELD EST
膜厚 SPC — Thickness (nm)
TARGET
50.0
UCL/LCL
52/48
LATEST
偏差 SPC — Deviation |Δ| (nm)
SPEC
±2.0nm
Cpk
STATUS
READY
系統就緒 — 準備開始 ALD 製程閉環控制模擬
TEMP200°C
CYCLES150
PRES0.50T
FLOW100sccm
Case 02
Laser Via Hole · Advanced Process Control
Semiconductor Packaging
CYCLE 01 / 06
⚡ Laser Parameters
Energy42.0 µJ
Pulse380 fs
Frequency200 kHz
Focus-2.0 µm
🎯 Target
Depth80.0 µm
Diameter30.0 µm
Tolerance±2.0 µm
LASER
AOI
EdgeAI+
✓ LASER VIA CONVERGED
DNN EdgeAI+
STANDBY · Laser Via APC
📐 AOI Measurements
DEPTH
— µm
TARGET: 80.0 ±2.0 µm
Δ —
DIAMETER
— µm
TARGET: 30.0 ±2.0 µm
Δ —
Convergence
CONSECUTIVE OK
0
/ 3 required
LASER PROCESS
AOI METROLOGY
AI INFERENCE
PARAM UPDATE
ITERATION 1
Case 03
Thin Film Deposition · CVD / PECVD Process Control
Semiconductor Thin Film
CYCLE 01 / 06
⚡ Process Parameters
Time225.0 s
RF Power380 W
SiH₄68.0 sccm
N₂O190 sccm
🎯 Target
Thickness500 nm
Tolerance±5 nm
FilmSiO₂
CVD CHAMBER
RF SiH₄ N₂O EXH
METROLOGY
Thk
EdgeAI+
DNN
✓ FILM THICKNESS CONVERGED
DNN EdgeAI+
STANDBY · Multi-Variable CVD
📐 Metrology
FILM THICKNESS
— nm
TARGET: 500 ±5 nm
Δ —
Thickness Trend
500nm
CONSECUTIVE OK
0
/ 3 required
CVD PROCESS
METROLOGY
AI INFERENCE
PARAM UPDATE
ITERATION 1

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